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型号 EPC2007
厂商 EPC
描述 TRANS 100V 30MO BUMPED DIE
EPC2007 PDF
代理商 EPC2007
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块 Paralleling eGaN? FETs
标准包装 1,000
系列 eGaN®
FET 型 GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 30 毫欧 @ 6A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1.2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 2.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 205pF @ 50V
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具剖面（5 焊条）
供应商设备封装 模具剖面（5 焊条）
包装 带卷 (TR)
其它名称 917-1015-2
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